FQT4N25

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Descrição do Produto

FQT4N25 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 250 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 0.83 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C