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IRFB61N15D
(L-61)
IOR |
IRFB61N15D
IRFB61N15D Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 330 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 150 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 60 A Total Gate Charge (Qg): 95 nC Maximum Drain-Sourc
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IRFB61N15D Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 330 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 150 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 60 A Total Gate Charge (Qg): 95 nC Maximum Drain-Sourc
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